Modelo de Producto

H5MS5122DFR-E3M

Introducción

Circuito IC de memoria diseñado para aplicaciones especializadas

Marca y Fabricante

Hynix Semiconductor

Características

Alta velocidad de transferencia de datos, bajo consumo de energía, diseño compacto, adecuado para aplicaciones de computación de alto rendimiento

Rendimiento del Producto

Capacidades eficientes de manejo de datos, características robustas de corrección de errores, alta fiabilidad en condiciones operativas variables

Especificaciones Técnicas

Tipo: Circuito Integrado Especializado, Tipo de Memoria: DRAM, Interfaz: Serial

Dimensiones, Forma y Empaque

Forma factor pequeña, empaquetado estándar de IC para integración en varios tipos de dispositivos

Calidad y Fiabilidad

Fabricado para cumplir con estrictas normas de calidad, probado para durabilidad y consistencia de rendimiento

Ventajas del Producto

Optimizado para eficiencia y velocidad, durabilidad mejorada, bajo costo operativo debido a la eficiencia energética

Competitividad del Producto

Altamente competitivo en mercados de IC especializados, opción preferida para aplicaciones de alto rendimiento

Compatibilidad

Compatible con una gama de microcontroladores y procesadores, fácil integración en sistemas tecnológicos existentes

Certificación y Cumplimiento Estándar

Cumple con estándares electrónicos internacionales, certificado para regulaciones ambientales y de seguridad

Duración y Sostenibilidad

Diseñado para uso a largo plazo, componentes seleccionados por consideraciones de sostenibilidad ambiental

Campos de Aplicación Real

Utilizado en dispositivos de computación y telecomunicaciones, aplicable en sistemas automotrices e industriales

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